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離子鍍是真空室中,利用氣體(tǐ)放電或被蒸發物質部分離化,在氣體離子或被蒸發物(wù)質粒子轟擊作用的同時(shí),將蒸發物或反應物沉(chén)積在基片上。離子鍍把 輝光放電現象、 等離子體技術和真空蒸發三者有機結合起來(lái),不僅能明顯地改進了膜質量,而且還擴大了薄(báo)膜(mó)的(de)應用範(fàn)圍。多弧電(diàn)源其(qí)優點是薄膜(mó) 附著力強,繞射性好,膜材廣泛(fàn)等。D.M.首次提出離子鍍原理,起工作過程是:
先將真空室抽(chōu)至(zhì)4×10(-3)帕以上的 真空度(dù),再(zài)接通 高(gāo)壓電源(yuán),在蒸發源與基片之間建立一個低壓氣體(tǐ)放電的 低溫(wēn)等離子區。基片電極接上5KV直流負高壓,從而形成輝光放電陰極。輝光放電去產生的(de)惰(duò)性氣體(tǐ)離子進入陰(yīn)極暗區被電場加(jiā)速並轟擊基片表麵,對其(qí)進行清(qīng)洗。然後計入鍍膜過(guò)程,加熱使鍍料氣(qì)化,起原子進(jìn)入等離子區,與惰(duò)性氣體離子及電子發生碰撞,少部分產生離化。離化後的例子及氣體離子以較高能量轟擊 鍍層表麵,致使膜層質量得到改善。
離子(zǐ)鍍種類很多,蒸發遠加熱方式有電阻加熱、 電(diàn)子束加熱(rè)、等離(lí)子電子束加熱、高頻感應加熱等
然而多弧離子鍍與一般的離子鍍有著很(hěn)大(dà)的區別。多弧離子鍍采用的是弧光放電,而並不是傳統離子鍍(dù)的輝光放(fàng)電進行沉積。簡單的說,多弧離子鍍(dù)的原理就是把陰極靶作為蒸發(fā)源,通過靶與陽極殼體之間的弧光放電,使靶材蒸發,從而(ér)在空間中形成 等(děng)離子體,對基體進行沉積。
標簽:多弧電源