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通過加熱(rè)蒸發某種物質使其沉積在固體表麵,稱為蒸發鍍膜。這種(zhǒng)方法較早由M.法拉第於1857年提出,現代已(yǐ)成為常用鍍膜技術之一。
真空鍍膜電源(yuán):蒸發物質如金屬、化合物等置於坩堝(guō)內或掛在熱絲上作為(wéi)蒸發源,待鍍工件,如金屬、陶(táo)瓷、塑料等基片置於坩堝前方。待係統抽至高真空後,加熱坩堝使其中的物質(zhì)蒸發。蒸發物質的(de)原(yuán)子或分子以冷(lěng)凝方式沉積在(zài)基片表麵。薄膜厚度(dù)可由(yóu)數百(bǎi)埃(āi)至數微米。膜厚決(jué)定於蒸發源的蒸發速率和(hé)時間(或決定於裝料量),並與源和基片的距離有關(guān)。對於大麵積鍍膜,常采用旋轉基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚(hòu)度的均勻性。從蒸發源到基片的距離應小於蒸氣分(fèn)子在殘餘氣體中的平均自。
標簽:真空鍍(dù)膜電源