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1、真(zhēn)空蒸發鍍膜法
真空蒸發法的原理是:在真空條件下,用蒸發源加熱蒸發(fā)材料,使之蒸發或升華進(jìn)入氣相,氣相粒子流直接射向基片上沉積或結晶形成固態薄膜(mó);由於環(huán)境是(shì)真空(kōng),因此,無論是金屬還是非金(jīn)屬,在(zài)這種情況下蒸(zhēng)發要比(bǐ)常壓下容易得多。真空(kōng)蒸(zhēng)發鍍膜是發展較早的鍍膜技術,其特(tè)點是:設備相對簡單,沉積(jī)速率快,膜層純度高,製膜材料及被鍍件材料範圍很廣,鍍膜過程可以實現連續化,應用相當廣泛。按蒸發源的不同,主要分為(wéi):電阻加熱蒸發、電子束蒸發、電弧蒸發和激光蒸發等(děng)。
1.1 電阻加熱蒸發法(fǎ)
電阻加熱蒸發法就是(shì)采用鎢、鉬等高(gāo)熔點金屬,做成適當形狀的蒸發源,其上裝入待蒸發材料,讓電流通過,對蒸發(fā)材料進行直接加熱蒸發,或者把待蒸發材料放入坩鍋(guō)中進(jìn)行間接加熱蒸發。利用電阻加(jiā)熱器加熱蒸發的鍍(dù)膜(mó)設(shè)備構造簡單、造(zào)價便宜、使用可靠,可用於熔點不太高的材料的蒸(zhēng)發鍍膜,尤其適用(yòng)於對膜(mó)層質量要求(qiú)不太高的大批量的生產中。目(mù)前在鍍鋁製品的生(shēng)產中仍(réng)然大量使用著電阻加熱蒸發(fā)的工藝。電阻加熱(rè)方式的缺點是:加熱所能達到的高(gāo)溫度有限,加熱器的壽命也較短。近年來,為了(le)提(tí)高加熱器的壽命,國內外已采用壽命(mìng)較長的氮化硼合成的導電陶瓷材料作為加熱器(qì)。
1.2 電(diàn)子束蒸發法
電子束蒸發法是將蒸發材料放入水(shuǐ)冷銅坩鍋中,直接利用電子束加(jiā)熱(rè),使蒸發材料氣化蒸(zhēng)發後凝結(jié)在基板表麵形成膜,是(shì)真空蒸發鍍膜技術中的一種(zhǒng)重要的加熱方法和發展方向。電子(zǐ)束蒸(zhēng)發克服了一般電阻加熱蒸發的許(xǔ)多缺點,特別適合製作熔點薄膜材料和高純薄膜材料。
1.3 激光蒸發法
采用激光束蒸發源的蒸鍍技術是(shì)一種理想的薄膜製備方法。這是由於激光器是可以安裝在真空室之外,這樣不但簡化了(le)真空室內部的空間布置,減少了加熱源的放氣,而且還可完(wán)全避免了蒸發氣對被鍍材料(liào)的汙染,達到了膜層純潔的目的。此外,激光加熱可以達到極(jí)高的(de)溫度(dù),利用激光束加熱能(néng)夠對某些合金或化合物進行快速蒸發。這對於保(bǎo)證(zhèng)膜的成分,防(fáng)止膜的分餾或分解也是極其有(yǒu)用(yòng)的。激光蒸發鍍的缺點是製作大功率連續式激光器的成本較高,所以它的應用(yòng)範圍有一定的限製(zhì),導致其在工業中的廣泛應用有一定的限製。
2、真(zhēn)空濺射法
真(zhēn)空濺射法是物(wù)理氣相沉積法中的後起之秀。隨著高純靶材料和高(gāo)純氣體製備技(jì)術(shù)的(de)發展,濺(jiàn)射鍍膜技術飛速發展,在(zài)多(duō)元合(hé)金薄膜的製備方麵(miàn)顯示出獨到(dào)之處。其原理為:稀薄的空氣在異常輝光放電產生的(de)等(děng)離子(zǐ)體(tǐ)在電場的作用下,對陰極靶(bǎ)材料表麵進行轟擊,把靶材料(liào)表麵的分子、原子、離(lí)子及電子等濺射(shè)出來,被濺射(shè)出來的粒子帶有(yǒu)一定的動能,沿一定的方法射向基體表(biǎo)麵,在基體表麵(miàn)形成鍍層。特點為:鍍膜層與基材的結合力強;鍍(dù)膜層致密、均勻;設備簡單(dān),操作方(fāng)便,容易控製。
主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。目(mù)前應用較多的是磁控濺射法。
標簽:真空鍍膜電源