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直流磁(cí)控濺射電(diàn)源的濺射技術介紹

返回列表(biǎo) 來源: 發(fā)布日期:2019-11-05

直流濺射法要求靶(bǎ)材能夠將從離子(zǐ)轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,從而該方法隻能濺射導體材料,不適(shì)於絕緣材料。因為轟擊絕緣靶材時,表麵的離子電(diàn)荷無法(fǎ)中和,這將導致(zhì)靶麵電位升高,外加電壓幾乎都加在靶(bǎ)上,兩極(jí)間的離子加速與(yǔ)電離的機會將變小,甚至不能電(diàn)離,導致不能連續放電(diàn)甚(shèn)至放電停止,濺射停止。故對於絕緣靶(bǎ)材或導電性很差的非(fēi)金屬靶材,須用(yòng)射頻濺射法(fǎ)(RF)。

直(zhí)流磁控濺射電源:  濺射過(guò)程中涉及(jí)到複雜的散射過程和多種能量傳遞過程:入射粒子與(yǔ)靶(bǎ)材原子發生彈性碰撞,入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子;某些靶材原子的動能超過由其周(zhōu)圍(wéi)存在的其它原子所形成的勢壘(lěi)(對於金屬是5-10 eV),從而從晶格點陣中被碰撞出來,產生離位原子;這些離位原(yuán)子進一步和(hé)附(fù)近的原子依次反複碰撞,產(chǎn)生碰撞級聯;當這種碰(pèng)撞級聯到達靶材表麵時,如果靠近靶材表麵的原子的(de)動能大於表麵結(jié)合能(對於金屬是1-6eV),這些原子就會從靶材表麵脫離從而進入真空(kōng)。

標簽:直流磁控濺射電源


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