真空離子（zǐ）鍍膜設備的構造有哪些要求

      真空離子鍍膜設備是通（tōng）過對熱量以及來自等離子體的能量的利用，在真空環境中將金屬蒸發，使其（qí）與反應性氣體結合，然後將其用（yòng）於轟擊基材，終成膜。比之傳統的浸泡鍍膜，它有優越的耐磨性和粘附性。

　　對於（yú）壓力在10??Pa~10??Pa範圍內的真（zhēn）空離子鍍膜設備的設計結構有以下（xià）要求：

　　1、電阻值（zhí）。根據GB/T 11164一99標準中的規定，來決定真空室所接不同電位（wèi）間的絕緣電（diàn）阻值的（de）大小。

　　2、離子轟擊（jī）電源。離（lí）子鍍膜機通常具有基材負偏壓和離子轟擊電源，離子轟擊電源應具（jù）備將非正常放電有效抑製的功能，以達到（dào）穩定的工（gōng）作狀態。

　　3、基材（cái）架。基材架與真空室（shì）體之間應有（yǒu）絕緣設計，基材架的設計要考（kǎo）慮基材鍍製的（de）膜層均勻問題。

　　4、加熱係統。加熱係統（tǒng）需要合（hé）理的布置，加熱器結構布局要考慮到基材的溫升均（jun1）勻（yún）問題。

　　5、沉積源。設計離子鍍沉積源要充分考慮（lǜ）鍍（dù）膜（mó）過程中的（de）離（lí）化率問題，將（jiāng）離化率盡可能地提（tí）高，同時提高了靶材利用（yòng）率。沉（chén）積源（yuán）的功率要合理匹配，沉積源在真空室體的位置同樣需要合理的布置。

　　6、觀察窗（chuāng）結構。真空鍍（dù）膜室設有觀察窗，在此觀察窗上設置擋板。要求觀察（chá）窗（chuāng）可觀察到沉（chén）積源以及其他關鍵部位的工作狀態。

　　7、蒸汽與油的捕集。若設備使用的抽氣係統是以擴散泵為（wéi）主泵，則要合理設置（zhì）油蒸氣捕集阱。

　　8、屏蔽與測量裝置（zhì）。真空測量規管安裝於低真空和高（gāo）真空管道上及真空鍍膜室上，可分別各部位的真空度進行測量。若電場（chǎng）幹擾了測量（liàng），應安裝電場屏蔽裝置於測量口處，用以阻（zǔ）截該電場。

　　9、密封裝置的（de）結構。根據GB/T 6070標（biāo）準中的規定，來決定（dìng）設備中的真空管道、密封圈、密封法蘭等裝置的結構型式。

　　標簽（qiān）：多弧鍍膜電源