什麽是離子源？它的應用又是什麽？

　　離子源：氣體放電、電子（zǐ）束對氣（qì）體原子(或分子)的碰撞，帶電粒子束使工作物質濺射以及表麵電離過程都能產生離子，並被引出（chū）成束。根據不同的使用條件和用途，已研製出多種類型的離子源。使用較廣泛的有弧放電離子源（yuán）、PIG離子源、雙等（děng）離子體離（lí）子源和雙彭源這些源（yuán）都是以氣體放電過程為基礎（chǔ）的,常（cháng）被籠統地稱為弧源。高頻離子源則是由氣體中的高頻放電來產生（shēng）離（lí）子的，也有廣（guǎng）泛的用途。新型（xíng）重離子（zǐ）源（yuán）的出現，使重離子的電荷態（tài）顯著提高,其中較成熟（shú）的有電子回旋共振離子源(ECR)和電（diàn）子束離子源(EBIS)。負離子源性（xìng）能較好的有轉（zhuǎn）荷型和濺射型兩種（zhǒng）。在（zài）一定條件下，基於氣體放電過程的各種離子源，都能提供一定的負離子束流。
　　離子源是一門（mén）具有廣泛應用領域的學科，在許多基礎研究領（lǐng）域如原子物理（lǐ）、等離子化學、核物（wù）理等研究中，離子源都是十分重要不可（kě）缺少的設備。
　　離子源的應（yīng）用編輯
　　① 離子摻雜與離子束改性
　　從20世紀60年代開始（shǐ），人們將一定量的硼、磷或其他元素的離子注入到半導體材料中，形成摻（chān）雜。摻雜的（de）深度可用（yòng）改變（biàn）離子（zǐ）的能量來控製；摻雜的濃度可通過積分離子流強度來控製。離子注入方法的重複性、可靠性（xìng）比（bǐ）擴散法好。離子注入摻雜在（zài）半導體大規模集成電路的生產中已成為重要環（huán）節，用離子注入法取（qǔ）代舊的（de）擴散等工藝（yì）在有些（xiē）器件中已（yǐ）成為必然趨勢。
　　離子注入在金（jīn）屬材料的改性中獲得（dé）的（de）結果十分引人（rén）注（zhù）目（mù）。在常用金屬的離子注入改性中，可（kě）以提高金屬的硬度、抗腐蝕性能和抗疲勞強度，降（jiàng）低金屬的磨損率。某些絕緣材料如陶器、玻璃、有機材料經離子束照射以後，性質發生重要的變化，獲得新的用途。
　　離子束（shù）照（zhào）射和摻雜的過程是非熱平衡過程，因（yīn）此用這種方法可以（yǐ）獲得用一般（bān）冶金和化工方法無法得到的新材料。能量較低(50～400keV)的專門用於離子（zǐ）注入的小型加速器“離子注入機”，已成為一種專門設備，體積相當於（yú）一台電子顯微鏡或高壓示波器，使用維護都很方便。在（zài）類（lèi）金剛石（shí）材料、高溫超導材（cái）料（liào）、磁性材（cái）料、感光材料等的研究（jiū）中，已廣泛應用離子束，一門新興的冶金學──“離子（zǐ）注入冶金學”正在形成。② 離子束（shù）分析具（jù）有一定能量的離子與物質相互作用會使其發射電（diàn）子、光子、X射線等，還可能發（fā）生（shēng）彈性散（sàn）射、非彈性散射以及核反應，產生反彈離子、反衝核、γ 射線、氫核、氚核（hé）、粒子等核反應產物，可以提（tí）供有關該物質的組分、結構和（hé）狀態等（děng）信息。利用這些信息來分析樣品統稱離子（zǐ）束分析。在離子束分析方法中，比較成熟（shú）的有背散射分析X射線熒光分析、核反應分析和溝道效應（見溝道效應和阻塞效應）與其他分析相結合的分析方法等。此外，利用低能離子束還可作表麵成分分（fèn）析,如離子散（sàn）射譜（pǔ）(ZSS)、次級離（lí）子質譜(SZMS)等。超靈敏質譜（加速器質譜）、帶電粒子活化分析、離子激發光譜、離子激發俄歇電子譜等正在（zài）發展（zhǎn）中。用於離子束分析的MV級（jí）加速器已有專門的商業化設備。
　　③ 離子（zǐ）束加工
　　較低能量的離子束廣（guǎng）泛用於（yú）工（gōng）業加工，如離子減（jiǎn）薄、離（lí）子拋光、離子束打孔、離子束刻蝕、離（lí）子束濺射金屬膜等。
　　標簽：離子源電源