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多弧(hú)電源離子(zǐ)鍍是真(zhēn)空室中,利用氣體放電或被(bèi)蒸發物質部分離化,在氣體離子或被蒸發物質粒子轟擊作用的同時,將蒸發物或反應物沉積(jī)在基片上。
離子鍍把 輝光放電現象、 等離子(zǐ)體(tǐ)技術和真空蒸發三者有(yǒu)機結合起來,不僅能明顯地改進了(le)膜質量,而且還擴大了(le)薄膜的應(yīng)用範圍。其優點是薄膜 附著力強,繞射性好,膜材廣(guǎng)泛(fàn)等。D.M.首次提出離子鍍原(yuán)理,起工(gōng)作過(guò)程是:
先將真空室抽至4×10(-3)帕以上的(de) 真空度,再接通 高壓電源,在蒸發源與基片之間建立一個低壓氣體放電的 低溫等離子(zǐ)區。基片電極接上5KV直流負高壓,從而形成輝光放電陰極。輝光放電去產生的惰性氣體離子進入陰極暗區被電場加速並轟擊基(jī)片表麵,對(duì)其進行清洗。然後計入鍍膜過程,加熱使鍍料氣化,起原子進(jìn)入等離子區,與惰性氣體離子及電子發生碰撞,少部分產生離化。離化後的例子及氣體離子以較高能量轟擊 鍍層(céng)表麵(miàn),致(zhì)使膜(mó)層質量得到改善。
離子鍍種類很多(duō),蒸發遠加熱方(fāng)式(shì)有(yǒu)電阻加熱、 電子束加熱、等離子電(diàn)子束加熱(rè)、高(gāo)頻(pín)感應加熱等
然(rán)而多弧離(lí)子鍍與一般的離子鍍有(yǒu)著很大的區別。多弧離子鍍采用(yòng)的是弧光放電,而並不是傳統離子鍍的輝光放電進行沉積。簡單的說(shuō),多弧離(lí)子(zǐ)鍍的原(yuán)理就是把陰極靶(bǎ)作為蒸發源,通過靶與陽極殼體之間的弧(hú)光放電,使靶材蒸發(fā),從(cóng)而在(zài)空間中形成 等離子體,對基(jī)體進行沉積。
標簽(qiān):多弧電源
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