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離子鍍是真空室中,利用氣體放電或被蒸發物質部分離化,在氣體離子(zǐ)或被蒸發物質粒子轟擊作用的同時,將蒸發物或反(fǎn)應物沉積在基片上。離子鍍把 輝光放電現象、 等離子體技術和真空蒸發三者有機結合起來,不僅能明顯地改進了(le)膜質(zhì)量,而且還擴大了薄膜的應用範圍。其優(yōu)點是(shì)薄膜 附著力強,繞射性好,膜(mó)材廣泛(fàn)等。D.M.首次提出離子鍍原理,起工作過程是:
先將真(zhēn)空室抽至4×10(-3)帕以上的 真空(kōng)度,再接通 高壓電源(yuán),在蒸發源與基片之間建立一個低(dī)壓氣體放電的 低溫等離子(zǐ)區。基片電極接上5KV直流負高壓,從(cóng)而形成輝光放電陰極。輝光放電去產生的惰(duò)性氣體離子進入陰極暗區被電場加速並轟擊基片表麵,對其(qí)進行清(qīng)洗。然(rán)後計入鍍膜過(guò)程,加熱使鍍料氣化,起原子進入等離子區,與惰性氣體離子及電子發生(shēng)碰撞,少部(bù)分產生離化(huà)。離化後的例子及氣體離子以較高能量轟(hōng)擊 鍍層(céng)表麵,致使膜層質量得到改善。
離子鍍種類很多,蒸發遠加熱方式有電阻加熱、 電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應加熱等
然而多弧離子鍍與一般的離子鍍有著很大(dà)的區別。多弧離子鍍(dù)采用的是弧(hú)光放電,而並不是傳統離子鍍的(de)輝光放電進行沉積。簡單的說(shuō),多弧離子鍍的原理(lǐ)就是(shì)把陰極靶作為蒸發源(yuán),通過(guò)靶與(yǔ)陽極殼體之間的弧光放電,使靶材蒸發,從(cóng)而在(zài)空(kōng)間中(zhōng)形成 等離子體,對基體進行沉積。
標簽:多弧鍍(dù)膜電源(yuán)